SiC N-Channel MOSFET, 35 A, 1000 V, 4-Pin TO-247-4 C3M0065100K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 шт., срок 6 недель
4 850 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 850 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
New C3M Silicon Carbide (SiC) MOSFET technology Minimum of 1000 V Drain-Source Breakdown Voltage across the entire operating temperature range
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 4.8V |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 90 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +19 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 113.5 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247-4 |
| Pin Count | 4 |
| Series | C3M |
| Transistor Material | SiC |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 35 nC @ 15 V, 35 nC @ 4 V |
| Width | 5.21mm |
| Вес, г | 6.61 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
