STGW20V60F IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

30 шт., срок 6 недель

1 400 руб.

Кратность заказа 5 шт.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 7 000 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8009813537

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.

Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	20 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	167 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Switching Speed	1MHz
Transistor Configuration	Single
Pd - рассеивание мощности	167 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.8 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	40 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	20 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	600
Серия	STGW20V60F
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	250 nA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Вес, г	5