GT30J121, GT30J121 IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

70 шт., срок 7 недель

1 510 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 510 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8009815513

Артикул: GT30J121

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.

Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	30 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	170 W
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-3P
Pin Count	3
Switching Speed	1MHz
Transistor Configuration	Single
Вес, г	4