N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V, 3-Pin TO-220 TK35E08N1

Фото 1/2 N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V, 3-Pin TO-220 TK35E08N1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
450 шт., срок 6 недель
270 руб.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 13 500 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8020725473
Артикул: TK35E08N1
Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 55 A
Maximum Drain Source Resistance 12.2 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 80 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 72 W
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220
Pin Count 3
Series TK
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 25 nC @ 10 V
Width 4.45mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 244 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.