N-Channel MOSFET, 52 A, 100 V, 3-Pin TO-220SIS TK22A10N1,S4X(S

Фото 1/2 N-Channel MOSFET, 52 A, 100 V, 3-Pin TO-220SIS TK22A10N1,S4X(S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
15 шт., срок 6 недель
330 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 1 650 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8009836526
Артикул: TK22A10N1,S4X(S
Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Trans MOSFET N-CH Si 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Forward Diode Voltage 1.2V
Maximum Continuous Drain Current 52 A
Maximum Drain Source Resistance 13.8 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 30 W
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220SIS
Pin Count 3
Series TK
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 28 nC @ 10 V
Width 4.5mm
Automotive No
Military No
Packaging Magazine
Standard Package Name TO-220
Supplier Package TO-220SIS
Вес, г 5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet TK22A10N1,S4X
pdf, 236 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.