FF75R12RT4HOSA1 Series IGBT Module, 75 A 1200 V, 7-Pin 34MM Module, Panel Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 200 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 30 200 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Series |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 75 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 395 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | 34MM Module |
| Pin Count | 7 |
| Transistor Configuration | Series |
| Вес, г | 181.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FF75R12RT4HOSA1
pdf, 587 КБ
Дополнительная информация
Похожие товары
![SKIIP35NAB126V1 + Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фазный мостовой инвертор) [MiniSKiiP 3]](https://static.chipdip.ru/lib/098/DOC006098584.jpg)
