STY105NM50N, Транзистор полевой N-канальный 600В 110A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
1 340 руб.
от 2 шт. —
1 320 руб.
от 3 шт. —
1 310 руб.
от 5 шт. —
1 270 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 340 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 600В 110A
Технические параметры
| Корпус | MAX247 | |
| Brand | STMicroelectronics | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 600 | |
| Id - Continuous Drain Current | 88 A | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | Max247-3 | |
| Packaging | Tube | |
| Pd - Power Dissipation | 625 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 22 mOhms | |
| RoHS | Details | |
| Series | N-channel MDmesh | |
| Technology | Si | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V | |
| Вес, г | 7.9 |
Техническая документация
Datasheet STY105NM50N
pdf, 902 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![FQA11N90C-F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 11А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![IPW60R060P7XKSA1, Транзистор N-MOSFET 600В 48А [PG-TO247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![2SK3075(TE12L,Q), ВЧ транзистор, MOSFET, N-канал, 520МГц, 11.7дБ, 7.5Вт [2-5N1A]](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC000254166.jpg)
