APT50GN60BG, Транзистор IGBT, 600В, 64А, 366Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 360 руб.
от 3 шт. —
2 020 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 360 руб.
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.45 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 107 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 107 A |
| Continuous Collector Current: | 107 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 600 nA |
| Manufacturer: | Microchip |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Operating Temperature Range: | -55 C to+175 C |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 366 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 136 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
