Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › BCM857BS,115, Биполярный транзистор PNP/PNP ...

BCM857BS,115, Биполярный транзистор PNP/PNP, 45 В, 0.1 А

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2658 шт. со склада г.Москва, срок 10-13 дней

27 руб.

Мин. кол-во для заказа 17 шт.

от 88 шт. — 22 руб.

от 175 шт. — 20 руб.

от 350 шт. — 18 руб.

Добавить в корзину 17 шт. на сумму 459 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8009975920

Артикул: BCM857BS,115

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки биполярных транзисторов

Биполярный транзистор PNP/PNP, 45 В, 0.1 А

Технические параметры

Корпус	6-TSSOP
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0,4 В
Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальная рабочая частота	175 МГц
Количество элементов на ИС	2
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер	0,92 В
Длина	2.2мм
Максимальное напряжение коллектор-база	50 V
Transistor Configuration	Изолированный
Производитель	Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)	45 В
Тип корпуса	UMT
Максимальное рассеяние мощности	300 мВт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура	-65 °C
Ширина	1.35мм
Максимальный пост. ток коллектора	100 mA
Тип транзистора	PNP
Высота	1мм
Число контактов	6
Размеры	1 x 2.2 x 1.35мм
Максимальное напряжение эмиттер-база	5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току	200
Pd - рассеивание мощности	300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	934058729115
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200 at 2 mA, 5 V
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	200 at 2 mA, 5 V
Максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	175 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	TSSOP-6
кол-во в упаковке	1
Вес, г	0.075