AO4612, Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 60 В, -3.2 А/4.5 А, 2 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
96 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 28 шт. —
78 руб.
от 55 шт. —
71 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 60 В, -3.2 А/4.5 А, 2 Вт
Технические параметры
Корпус | SOIC-8 | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | PIN | |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 4.5@N ChannelI3.2@P Channel | |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 56@10V | |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 60 | |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 | |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 2000 | |
Military | No | |
Number of Elements per Chip | 2 | |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 | |
Pin Count | 8 | |
Process Technology | Dual Dual Drain | |
Standard Package Name | SOP | |
Supplier Package | SOIC | |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 8.5 | |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 8.5@10VI4.3@4.5V | |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 450@30V | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Документация
pdf, 476 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов