КТ853Б, Биполярный транзистор (1990 г)

КТ853Б
Транзисторы КТ853Б кремниевые планарные структуры p-n-p составные, переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» аА0.336.508ТУ.
Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BD266A, TIP126.

Основные технические характеристики транзистора КТ853Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА (80В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 750;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 120 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,66 Ом;
• tвыкл - Время выключения:: не более 3300 нс