Главная › Электронные компоненты › Полупроводниковые модули › IGBT › Infineon › МОДУЛЬ BSM75GB120DN2HOSA1

МОДУЛЬ BSM75GB120DN2HOSA1

МОДУЛЬ BSM75GB120DN2HOSA1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

12 380 руб.

от 10 шт. — 11 770 руб.

от 20 шт. — 11 150 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 12 380 руб.

Номенклатурный номер: 8010322182

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Технические параметры

Вес, г

250

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «IGBT модули»

Похожие товары

FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт

Infineon

FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт

11 700 руб.

SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]

Semikron

SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]

10 990 руб.

PM50RSA060, 7 IGBT 600V 50A 3-gen (S-Series)

Mitsubishi

PM50RSA060, 7 IGBT 600V 50A 3-gen (S-Series)

11 330 руб.

SKIIP35NAB12T4V1

Semikron

SKIIP35NAB12T4V1

14 090 руб.

PM50CL1B120#300G, модуль IPM L1-Series 50А 1200В

Mitsubishi

PM50CL1B120#300G, модуль IPM L1-Series 50А 1200В

12 560 руб.

Мы рекомендуем

Диодные мосты

Диодные мосты

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Ферритовые сердечники

Ферритовые сердечники

Вакуумно-люминесцентные знакосинтезирующие модули

Вакуумно-люминесцентные знакосинтезирующие модули

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)