Главная › Электронные компоненты › Полупроводниковые модули › IGBT › Infineon › МОДУЛЬ BSM200GB60DLCHOSA1

МОДУЛЬ BSM200GB60DLCHOSA1

МОДУЛЬ BSM200GB60DLCHOSA1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

13 180 руб.

от 10 шт. — 12 520 руб.

от 20 шт. — 11 860 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 13 180 руб.

Номенклатурный номер: 8010322204

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Технические параметры

Вес, г

180

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «IGBT модули»

Похожие товары

FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт

Infineon

FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт

11 700 руб.

SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]

Semikron

SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]

10 990 руб.

PM50RSA060, 7 IGBT 600V 50A 3-gen (S-Series)

Mitsubishi

PM50RSA060, 7 IGBT 600V 50A 3-gen (S-Series)

11 330 руб.

SKIIP23NAB126V1 Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фазный мостовой инвертор) [MiniSKiiP 2]

Semikron

SKIIP23NAB126V1 Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост ...

15 640 руб.

FP25R12W2T4BOMA1, Модуль IGBT 1200V 39A 175Вт

Infineon

FP25R12W2T4BOMA1, Модуль IGBT 1200V 39A 175Вт

11 930 руб.

Мы рекомендуем

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Ферритовые сердечники

Ферритовые сердечники

Диодные мосты

Диодные мосты

Драйверы MOSFET и IGBT

Драйверы MOSFET и IGBT

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)