Главная › Электронные компоненты › Полупроводниковые модули › IGBT › Infineon › МОДУЛЬ FF1400R17IP4BOSA1

МОДУЛЬ FF1400R17IP4BOSA1

МОДУЛЬ FF1400R17IP4BOSA1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

20 130 руб.

от 10 шт. — 19 120 руб.

от 20 шт. — 18 120 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 20 130 руб.

Номенклатурный номер: 8010322233

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Технические параметры

Вес, кг

1.52

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «IGBT модули»

Похожие товары

FF150R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 150A 790Вт

Infineon

FF150R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 150A 790Вт

18 800 руб.

DFI600HF17I4RE2, IGBT Модуль Half Bridge 1700В 600А, аналог для FF600R17ME4, = DFI600HF17I4RE1

Leapers Semiconducto

DFI600HF17I4RE2, IGBT Модуль Half Bridge 1700В 600А ...

16 280 руб.

BSM75GB120DN2HOSA1, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А

Infineon

BSM75GB120DN2HOSA1, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А

20 180 руб.

SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]

Semikron

SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]

20 740 руб.

FF300R12KE3HOSA1, Модуль IGBT 1200V 440A 1450Вт

Infineon

FF300R12KE3HOSA1, Модуль IGBT 1200V 440A 1450Вт

16 700 руб.

Мы рекомендуем

Светодиодные модули и линейки

Светодиодные модули и линейки

Ферритовые сердечники

Ферритовые сердечники

Диодные мосты

Диодные мосты

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)