Главная › Электронные компоненты › Полупроводниковые модули › IGBT › Infineon › МОДУЛЬ FF150R12KE3G

МОДУЛЬ FF150R12KE3G

МОДУЛЬ FF150R12KE3G

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

13 730 руб.

от 10 шт. — 13 040 руб.

от 20 шт. — 12 350 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 13 730 руб.

Номенклатурный номер: 8010322256

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Технические параметры

Вес, г

340

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «IGBT модули»

Похожие товары

FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт

Infineon

FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт

11 700 руб.

SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]

Semikron

SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]

10 990 руб.

PM50RSA060, 7 IGBT 600V 50A 3-gen (S-Series)

Mitsubishi

PM50RSA060, 7 IGBT 600V 50A 3-gen (S-Series)

11 330 руб.

SKIIP23NAB126V1 Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фазный мостовой инвертор) [MiniSKiiP 2]

Semikron

SKIIP23NAB126V1 Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост ...

15 640 руб.

FP25R12W2T4BOMA1, Модуль IGBT 1200V 39A 175Вт

Infineon

FP25R12W2T4BOMA1, Модуль IGBT 1200V 39A 175Вт

11 930 руб.

Мы рекомендуем

Ферритовые сердечники

Ферритовые сердечники

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Высокочастотные модули

Высокочастотные модули

Диодные мосты

Диодные мосты