IXTQ76N25T, Транзистор N-MOSFET, 250В, 76А, 460Вт, TO3P, 148нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 530 руб.
от 3 шт. —
1 340 руб.
от 10 шт. —
1 150 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 530 руб.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, 250В, 76А, 460Вт, TO3P, 148нс Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO3P |
| Drain current | 76A |
| Drain-source voltage | 250V |
| Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
| Gate charge | 92nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 44mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 460W |
| Reverse recovery time | 148ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 205 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
