TF412ST5G, TF412SG N-Channel JFET, 30 V, Idss 1.2 to 3mA, 3-Pin SOT-883
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 руб.
Кратность заказа 8000 шт.
Добавить в корзину 8000 шт.
на сумму 200 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\JFETs
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Drain Gate On-Capacitance | 4pF |
Idss Drain-Source Cut-off Current | 1.2 to 3mA |
Maximum Drain Gate Voltage | -30V |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 100 mW |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SOT-883 |
Pin Count | 3 |
Source Gate On-Capacitance | 4pF |
Transistor Configuration | Single |
Width | 0.68mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet TF412ST5G
pdf, 303 КБ