N-Channel MOSFET, 9.7 A, 600 V, 3-Pin DPAK TK10P60W,RVQ(S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 шт., срок 6 недель
110 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 550 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.7 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 430 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.7V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 80 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | TK |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Width | 7.18mm |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SK2232-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 45А 52Вт [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![AO4606, Транзистор, N-канал/P-канал, 30В, 6.9/6А, 2Вт, 0.028Ом/0.035Ом [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![AP4525GEH, Транзистор, N+ P-канал, 40В, 15/-12А, 28/42мОм [TO-252-4L]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294459.jpg)
