P16B6SB-5071, Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 60В; 16А; Idm: 48А; 20Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2722 шт., срок 7 недель
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 25 шт. —
130 руб.
от 100 шт. —
102 руб.
от 500 шт. —
84.41 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 510 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
Case | FB(TO252AA) |
Drain current | 16A |
Drain-source voltage | 60V |
Gate charge | 17nC |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | SHINDENGEN |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 37mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 20W |
Pulsed drain current | 48A |
Technology | EETMOS3 |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 0.37 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.