P16B6SB-5071, Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 60В; 16А; Idm: 48А; 20Вт

P16B6SB-5071, Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 60В; 16А; Idm: 48А; 20Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2722 шт., срок 7 недель
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 25 шт.130 руб.
от 100 шт.102 руб.
от 500 шт.84.41 руб.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 510 руб.
Номенклатурный номер: 8010483941
Артикул: P16B6SB-5071

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors

Технические параметры

Case FB(TO252AA)
Drain current 16A
Drain-source voltage 60V
Gate charge 17nC
Gate-source voltage ±20V
Kind of channel enhanced
Kind of package reel, tape
Manufacturer SHINDENGEN
Mounting SMD
On-state resistance 37mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 20W
Pulsed drain current 48A
Technology EETMOS3
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 0.37

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.