STP100NF04, Транзистор полевой
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
38 шт. со склада г.Москва, срок 4-9 дней
330 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 330 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, STripFET™ II, полевой, 40В, 120А, 300Вт Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Automotive | Yes |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 120 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4.6@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 300000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | Unknown |
Process Technology | STripFET II |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO |
Supplier Package | TO-220AB |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 50 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 110 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 110@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 5100@25V |
Typical Rise Time (ns) | 220 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 80 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 35 |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 120A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5100pF @ 25V |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 |
Power Dissipation (Max) | 300W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 50A, 10V |
Series | Automotive, AEC-Q101, STripFETв(ў II |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 959 КБ
Datasheet STP100NF04
pdf, 1119 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.