STB6N80K5, Транзистор полевой
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт. со склада г.Москва, срок 4-5 дней
200 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 200 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 800В 4,5A 85Вт 1,6Ом DІPak
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Qg - заряд затвора | 7.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STB6N80K5 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| кол-во в упаковке | 1 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1266 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
