Транзистор полевой STF14NM50N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 шт. со склада г.Москва, срок 3 недели
140 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 8А, 25Вт, TO220FP
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Process Technology | MDmesh II |
| Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 500 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 12 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 320@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 27@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 27 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 816@50V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 25000 |
| Typical Fall Time (ns) | 22 |
| Typical Rise Time (ns) | 16 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 42 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tube |
| Automotive | No |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 16.4(Max) |
| Package Length | 10.4(Max) |
| Package Width | 4.6(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Lead Shape | Through Hole |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Qg - заряд затвора | 27 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 320 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 16 ns |
| Время спада | 22 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STF14NM50N |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 42 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| кол-во в упаковке | 50 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*54/500 |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 320 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220FP |
| Series | MDmesh |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Width | 4.6mm |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
...14NM50N
pdf, 1306 КБ
Datasheet
pdf, 1250 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1286 КБ
Datasheet STF14NM50N
pdf, 1266 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
