TDB6HK180N16RRB11BPSA1, Discrete Semiconductor Modules LOW POWER ECONO

Фото 1/2 TDB6HK180N16RRB11BPSA1, Discrete Semiconductor Modules LOW POWER ECONO
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
44 600 руб.
от 10 шт.37 140 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 44 600 руб.
Номенклатурный номер: 8012168222
Артикул: TDB6HK180N16RRB11BPSA1

Описание

The Infineon EconoBRIDGE half controlled bridge module with brake chopper and PressFIT contact technology for a more compact converter design.

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.75В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 140А
DC Ток Коллектора 140А
Power Dissipation 515Вт
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ Half Bridge
Линейка Продукции EconoBRIDGE
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Максимальная Температура Перехода Tj 175°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.75В
Рассеиваемая Мощность 515Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Package Type AG-ECONO2B-411
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 233 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «IGBT модули»