Jantxv2N3700UB, Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 880 руб.
от 100 шт. —
2 980 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 880 руб.
Описание
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
Технические параметры
| Automotive | No |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Not Compliant |
| Material | Si |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.1@15mA@150mA |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 140 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.2@15mA@150mA|0.5@50mA@500mA |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 200 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Waffle |
| Part Status | Preliminary |
| PCB changed | 4 |
| Pin Count | 4 |
| PPAP | No |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | Case UB |
| Supplier Temperature Grade | Military |
| Type | NPN |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 423 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
