STB9NK50ZT4 транзистор: N-MOSFET 500V 9A 0.82Om
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
29000 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 дня
12 руб.
Кратность заказа 1000 шт.
Добавить в корзину 1000 шт.
на сумму 12 000 руб.
Альтернативные предложения5
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 4,5А, 110Вт, D2PAK Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| кол-во в упаковке | 1000 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 7.2A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 910pF @ 25V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 110W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 3.6A, 10V |
| Series | SuperMESHв(ў |
| Standard Package | 1 |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100ВµA |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
