STP7NK40Z транзистор: N-MOSFET 400V 6A 1 Om
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13000 шт. со склада г.Москва
9 руб.
Кратность заказа 1000 шт.
Добавить в корзину 1000 шт.
на сумму 9 000 руб.
Альтернативные предложения5
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 3,4А, 70Вт, TO220-3 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 5.4 A |
Pd - рассеивание мощности | 70 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 15 ns |
Время спада | 12 ns |
Высота | 9.15 mm |
Длина | 10.4 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | SuperMESH |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.5 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STP7NK40Z |
Технология | Si |
Тип | MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 30 ns |
Типичное время задержки при включении | 15 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.6 mm |
Base Product Number | STP7NK40 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5.4A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 535pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 |
Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 2.7A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | SuperMESHв„ў -> |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50ВµA |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 5.4 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1000 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 400 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 70000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | SuperMESH |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-220 |
Supplier Package | TO-220AB |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 12 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 19 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 19 10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 535 25V |
Typical Rise Time (ns) | 15 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15 |
Brand | STMicroelectronics |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 12 ns |
Forward Transconductance - Min | 3.5 S |
Height | 9.15 mm |
Id - Continuous Drain Current | 5.4 A |
Length | 10.4 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Pd - Power Dissipation | 70 W |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1 Ohms |
Rise Time | 15 ns |
RoHS | Details |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 30 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 400 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Width | 4.6 mm |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.