IHW20N135R5

IHW20N135R5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
810 руб.
от 2 шт.680 руб.
от 5 шт.608 руб.
от 10 шт.567.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 810 руб.
Номенклатурный номер: 8012772738

Описание

Электроэлемент
IHW20N135 - Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode

Технические параметры

Brand Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1350 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Configuration Single
Continuous Collector Current at 25 C 40 A
Continuous Collector Current Ic Max 20 A
Factory Pack Quantity 240
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Manufacturer Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Maximum Operating Temperature +175 C
Minimum Operating Temperature -40 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
Part # Aliases IHW20N135R5XKSA1 SP001078568
Pd - Power Dissipation 288 W
Product Category IGBT Transistors
RoHS Details
Technology Si
Pd - рассеивание мощности 288 W
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IHW20N135R5XKSA1 SP001078568
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1350 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 240
Серия RC
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Вес, г 6

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов