IHW20N135R5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
810 руб.
от 2 шт. —
680 руб.
от 5 шт. —
608 руб.
от 10 шт. —
567.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 810 руб.
Описание
Электроэлемент
IHW20N135 - Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1350 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.95 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current at 25 C | 40 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 20 A |
Factory Pack Quantity | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part # Aliases | IHW20N135R5XKSA1 SP001078568 |
Pd - Power Dissipation | 288 W |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Pd - рассеивание мощности | 288 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | IHW20N135R5XKSA1 SP001078568 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1350 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 240 |
Серия | RC |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес, г | 6 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов