STB120N4LF6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 шт. со склада г.Москва, срок 3 недели
730 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 730 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
Pd - рассеивание мощности | 110 W |
Qg - заряд затвора | 80 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | STripFET |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STB120N4LF6 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
Maximum Gate Source Voltage | ?20 V |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temperature | -55 to 175 ?C |
Package | 3D2PAK |
Packaging | Tape & Reel |
Rad Hard | No |
RDS-on | 4@10V mOhm |
Typical Fall Time | 45 ns |
Typical Rise Time | 95 ns |
Typical Turn-Off Delay Time | 125 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
Техническая документация
Документация
pdf, 891 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.