G3R450MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
844 шт., срок 7 недель
2 560 руб.
от 5 шт. —
2 070 руб.
от 25 шт. —
1 760 руб.
от 100 шт. —
1 532.92 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 560 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.45Ом |
| Power Dissipation | 91Вт |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Линейка Продукции | G3R |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.7кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 9А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.7В |
| Рассеиваемая Мощность | 91Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.45Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Вес, г | 1.38 |
Техническая документация
Datasheet G3R450MT17J
pdf, 1137 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![AFT09MS015NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 16 Вт, 12.5 В [PLD-1.5W]](https://static.chipdip.ru/lib/801/DOC004801069.jpg)
![STW45NM50, Транзистор MOSFET N-канал 500В 45А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307885.jpg)
![IPW60R037P7XKSA1, Транзистор N-MOSFET 650В 76A [TO-247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![STW21NM60ND, Транзистор N-MOSFET 600В 17А [TO-247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758073.jpg)
![STW55NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600В, 0.047Ом, 51А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/964/DOC000964112.jpg)
