BXT280N02B, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3060 шт., срок 6 недель
33 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
23 руб.
от 250 шт. —
18 руб.
от 1000 шт. —
14.62 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 330 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\Multi channel transistors
Технические параметры
Case | SOP8 |
Drain current | 4A |
Drain-source voltage | 20V |
Gate charge | 5.5nC |
Gate-source voltage | ±12V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | BRIDGELUX |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 38mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 1.6W |
Pulsed drain current | 24A |
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Вес, г | 0.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1988 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.