PMV213SN.215
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 руб.
Мин. кол-во для заказа 155 шт.
от 353 шт. —
19 руб.
Добавить в корзину 155 шт.
на сумму 3 565 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Описание Транзистор MOSFET TO236
Технические параметры
Корпус | to236 | |
кол-во в упаковке | 1 | |
Base Product Number | PMV213 -> | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.9A (Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V | |
HTSUS | 8541.21.0095 | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 20V | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Power Dissipation (Max) | 280mW (Tj) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 500mA, 10V | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Series | TrenchMOSв„ў -> | |
Supplier Device Package | TO-236AB | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±30V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 1.9A | |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 280mW | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 250mО© @ 500mA,10V | |
Transistor Polarity | N Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 1mA | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 1.9 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 250 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 2 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-23 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 7 nC @ 10 V | |
Width | 1.4mm | |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet PMV213SN,215
pdf, 345 КБ
Datasheet PMV213SN,215
pdf, 258 КБ
Datasheet PMV213SN,215
pdf, 247 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов