SSM3K333R.LFT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

12270 шт. со склада г.Москва

9 руб.

8 руб.

Мин. кол-во для заказа 449 шт.

Добавить в корзину 449 шт. на сумму 3 592 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8013766254

Бренд: Toshiba

Транзисторы и сборки MOSFET

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R

Корпус	sot23
кол-во в упаковке	3000
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	6A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	1W
Rds On - Drain-Source Resistance	28mО© @ 5A,10V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30V
Vgs - Gate-Source Voltage	2.5V @ 100uA
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Lead Shape	Flat
Material	Si
Maximum Continuous Drain Current (A)	6
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)	28 10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	30
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	2.5
Maximum IDSS (uA)	1
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	2000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Process Technology	U-MOS VII-H
Product Category	Power MOSFET
Supplier Package	SOT-23F
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	3.4 4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	436 15V
Вес, г	0.035