STF24N60M6

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

719 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 дня

280 руб.

Мин. кол-во для заказа 13 шт.

от 30 шт. — 228 руб.

от 123 шт. — 200.80 руб.

Добавить в корзину 13 шт. на сумму 3 640 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8013766616

Транзисторы и сборки MOSFET

Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M6, полевой, 600В, 10,7А, Idm: 52,5А Характеристики

кол-во в упаковке	1000
Continuous Drain Current (Id)	17A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	190mΩ@8.5A, 10V
Drain Source Voltage (Vdss)	600V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	4.75V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds)	960pF@100V
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)	30W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	23nC@10V
Type	N Channel
Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity:	1000
Id - Continuous Drain Current:	22 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	30 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	23 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	190 mOhms
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3.25 V
Вес, г	2.38

pdf, 261 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем