Small-Signal Bjt Ua Rohs Compliant: Yes |Microchip JANS2N2907AUA/TR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
39 950 руб.
от 5 шт. —
35 120 руб.
от 10 шт. —
33 060 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 39 950 руб.
Описание
Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors\Gp Bjt
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin UA Tray
Технические параметры
Automotive | No |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Material | Si |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.3@15mA@150mA|2.6@50mA@500mA |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 60 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.4@15mA@150mA|1.6@50mA@500mA |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 60 |
Maximum DC Collector Current (A) | 0.6 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 200 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Junction Temperature (°C) | -65 to 200 |
Packaging | Tray |
Part Status | Active |
PCB changed | 4 |
Pin Count | 4 |
PPAP | No |
Product Category | Bipolar Small Signal |
Standard Package Name | UA |
Supplier Package | UA |
Supplier Temperature Grade | Military |
Type | PNP |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 98 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары