MSC025SMA120B4, MOSFET - N-Channel - SiCFET (Silicon Carbide) - 1200V - 103A - 20V Rds On - 31mOhm @ 40A, 20V Rds On (Max) @ Id, ...

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

12 110 руб.

от 5 шт. — 9 970 руб.

от 10 шт. — 9 260 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 12 110 руб.

Номенклатурный номер: 8014072431

Артикул: MSC025SMA120B4

Discrete Semiconductors\Fet Transistors\Mosfet

МОП-транзистор МОП-транзистор SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4

Id - непрерывный ток утечки	103 A
Pd - рассеивание мощности	500 W
Qg - заряд затвора	232 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	31 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	1.2 kV
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V, + 23 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.8 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	35 ns
Время спада	10 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1
Технология	SiC
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	35 ns
Типичное время задержки при включении	18 ns
Торговая марка	Microchip / Microsemi
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-247-4
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	73 A
Maximum Drain Source Voltage	1200 V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247-4
Pin Count	4
Transistor Material	SiC