JANTX2N3498

JANTX2N3498
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 920 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт.2 500 руб.
от 50 шт.2 290 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 14 600 руб.
Номенклатурный номер: 8014092544

Описание

Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors\Gp Bjt
Биполярные транзисторы - BJT BJTs

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 5 W
RoHS N
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 15
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 120
Максимальная рабочая температура + 200 C
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 500 mA
Подкатегория Transistors
Размер фабричной упаковки 100
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Microchip / Microsemi
Упаковка Bulk
Упаковка / блок TO-39-3

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов