TIP42C, Биполярный транзистор TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 4-5 дней
61 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 61 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
транзисторы биполярные импортные
Описание Транзистор PNP, биполярный, 100В, 6А, 2Вт, TO220-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP |
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
Base Product Number | TIP42 -> | |
Current - Collector (Ic) (Max) | 6A | |
Current - Collector Cutoff (Max) | 700ВµA | |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 3A, 4V | |
ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) | |
Package | Tube | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Power - Max | 65W | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Supplier Device Package | TO-220AB | |
Transistor Type | PNP | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 600mA, 6A | |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V | |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 100V | |
Maximum DC Collector Current | 6A | |
Pd - Power Dissipation | 65W | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V | |
Configuration: | Single | |
Continuous Collector Current: | 6 A | |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 15 | |
DC Current Gain hFE Max: | 75 | |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum DC Collector Current: | 6 A | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Mounting Style: | Through Hole | |
Package / Case: | TO-220-3 | |
Packaging: | Tube | |
Pd - Power Dissipation: | 65 W | |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT | |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors | |
Series: | TIP42C | |
Subcategory: | Transistors | |
Technology: | Si | |
Transistor Polarity: | PNP | |
Maximum Collector Base Voltage | 100 V | |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5@0.6A@6A V | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V | |
Maximum Power Dissipation | 65000 mW | |
Minimum DC Current Gain | 30@300mA@4V|15@3A@4V | |
Mounting | Through Hole | |
Packaging | Rail/Tube | |
Pin Count | 3 | |
Rad Hard | No | |
Type | PNP | |
Вес, г | 2.64 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.