IRF9335TRPBF, Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R

Фото 1/3 IRF9335TRPBF, Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
66 руб.
Кратность заказа 4000 шт.
от 8000 шт.59 руб.
Добавить в корзину 4000 шт. на сумму 264 000 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8014460389
Артикул: IRF9335TRPBF

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза большую активную зону кремния при равном сопротивлении. Компания International Rectifier разработала новое семейство транзисторов -30В в корпусе SO-8 для элементных коммутаторов аккумуляторных батарей и переключателей нагрузки, использующихся в DC приложениях.

Новые Р-канальные транзисторы имеют сопротивление канала в открытом состоянии от 4.6 мОм до 59 мОм для использования в широком круге систем с различным уровнем питания. Среди всех транзисторов в новом семействе минимальное сопротивление открытого канала имеет транзистор IRF9310PBF - оно составляет всего 4.6 мОм при максимальном токе 21А. Применение Р-канальных транзисторов устраняет необходимость в использовании схем сдвига уровня или накачки заряда, благодаря чему они получили широкое распространение в системах управления нагрузкой.

В сравнении с предыдущим поколением Р-канальных SO-8 транзисторов новое семейство приборов позволяет пропускать более высокие токи, благодаря чему семейство имеет широкий модельный ряд транзисторов с различными уровнями сопротивления канала, позволяющий оптимально выбрать прибор по критерию теплоотдача - стоимость.

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 5.4 A
Pd - рассеивание мощности 2.5 W
Qg - заряд затвора 4.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 110 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.4 V
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.75 mm
Длина 4.9 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Размер фабричной упаковки 4000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Infineon / IR
Упаковка / блок SO-8
Ширина 3.9 mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet IRF9335TRPBF
pdf, 261 КБ
Datasheet IRF9335
pdf, 281 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Видео