NGTB25N120FL3WG IGBT, 100 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 390 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 4 780 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Gate Capacitance | 3085pF |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 349 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Switching Speed | 1MHz |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![IKW40N120H3FKSA1 (K40H1203), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1200В, 40А [PG-TO-247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![FGH40T120SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 1200В, 40А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307893.jpg)
![FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]](https://static.chipdip.ru/lib/269/DOC006269373.jpg)
![SKW25N120FKSA1 (K25N120), Транзистор IGBT 1200В 25А 313Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/192/DOC000192024.jpg)
