SiC N-Channel MOSFET, 11.5 A, 900 V, 3-Pin TO-247 C3M0280090D
![Фото 1/4 SiC N-Channel MOSFET, 11.5 A, 900 V, 3-Pin TO-247 C3M0280090D](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770964.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC043806614.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770971.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
660 шт., срок 6 недель
1 550 руб.
Кратность заказа 30 шт.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 46 500 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор полевой N-MOSFET C3M0280090D от Wolfspeed представляет собой высокомощный компонент в корпусе TO247-3 для монтажа THT. Отличается током стока 7,5 А, напряжением сток-исток 900 В и мощностью 54 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,28 Ом, что обеспечивает высокую эффективность в работе. Этот транзистор идеально подходит для применения в различных областях, где требуется надежное и эффективное управление мощностью. Используя C3M0280090D в вашем проекте, вы получаете продукт от известного производителя Wolfspeed, гарантирующего долговечность и стабильность работы. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 7.5 |
Напряжение сток-исток, В | 900 |
Мощность, Вт | 54 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.28 |
Корпус | TO247-3 |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 4.8V |
Maximum Continuous Drain Current | 11.5 A |
Maximum Drain Source Resistance | 360 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 900 V |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +18 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 54 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | SiC |
Typical Gate Charge @ Vgs | 9.5 nC @ 15 V |
Width | 21.1mm |
Brand | Wolfspeed/Cree |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 30 |
Fall Time | 7.5 ns |
Height | 21.1 m |
Id - Continuous Drain Current | 11.5 A |
Length | 16.13 mm |
Manufacturer | Cree, Inc. |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 54 W |
Product | Power MOSFET |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 9.5 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 280 mOhms |
Rise Time | 10 ns |
RoHS | Details |
Technology | SiC |
Transistor Polarity | N-Channel |
Type | Silicon Carbide MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 17.5 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 26 ns |
Unit Weight | 1.340411 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.1 V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары