650V 8A, SiC Schottky Diode, 2-Pin TO-220AC STPSC8065D
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 6 недель
890 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 4 450 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Schottky Diodes & Rectifiers
The SiC diode is an ultra high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate.
Технические параметры
Diode Configuration | Single |
Diode Technology | SiC Schottky |
Diode Type | SiC Schottky |
Maximum Continuous Forward Current | 8A |
Maximum Forward Voltage Drop | 1.65V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220AC |
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 200A |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
Pin Count | 2 |
Rectifier Type | Schottky Diode |
If - прямой ток | 8 A |
Ifsm - ударный прямой ток | 46 A |
Ir - обратный ток | 2 uA |
Vf - прямое напряжение | 1.3 V |
Vr - обратное напряжение | 650 V |
Vrrm - повторяющееся обратное напряжение | 650 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Диоды и выпрямители Шоттки |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Подкатегория | Diodes Rectifiers |
Продукт | Schottky Silicon Carbide Diodes |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STPSC8065 |
Технология | SiC |
Тип продукта | Schottky Diodes Rectifiers |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка / блок | TO-220AC-2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 419 КБ
Datasheet STPSC8065D
pdf, 414 КБ
Datasheet STPSC8065D
pdf, 497 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары