650V 10A, SiC Schottky Diode, 2-Pin TO-220AC STPSC10065D
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 шт., срок 6 недель
1 000 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 000 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Schottky Diodes & Rectifiers
The SiC diode is an ultra high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate.
Технические параметры
| Diode Configuration | Single |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Maximum Continuous Forward Current | 10A |
| Maximum Forward Voltage Drop | 1.65V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AC |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 210A |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
| Pin Count | 2 |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Average Rectified Current (Io) | 10A |
| Forward Voltage (Vf@If) | 1.45V@10A |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 130uA@650V |
| Reverse Voltage (Vr) | 650V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 390 КБ
Datasheet STPSC10065D
pdf, 389 КБ
Datasheet STPSC10065D
pdf, 493 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![VS-60CPQ150-N3, Диод Шоттки, 2 х 30А, 150В, общий катод [TO-247AC]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307909.jpg)
