N-Channel MOSFET, 33 A, 100 V, 3-Pin D2PAK IRF540NSTRLPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Кратность заказа 800 шт.
Добавить в корзину 800 шт.
на сумму 160 000 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор полевой IRF540NSTRLPBF от известного производителя INFINEON – это высококачественный компонент для современной электроники. С монтажом SMD и мощностью 3,8 Вт, этот N-MOSFET транзистор имеет ток стока 33 А и максимальное напряжение сток-исток 100 В, что делает его отличным выбором для управления мощными нагрузками. Корпус D2PAK обеспечивает надежную интеграцию в печатные платы. Используйте IRF540NSTRLPBF в своих проектах для обеспечения эффективного и стабильного управления электронными компонентами. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 33 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 3.8 |
| Корпус | D2PAK |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 33 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 44 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 130 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Width | 9.65mm |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 33 А |
| Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
| Максимальное рассеяние мощности | 130 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 9.65мм |
| Высота | 4.83мм |
| Размеры | 10.67 x 9.65 x 4.83мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.67мм |
| Типичное время задержки включения | 11 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 39 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 44 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 71 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1960 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 33A(Tc) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 130W(Tc) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 44mО© @ 16A,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Крутизна характеристики S,А/В | 21 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 44 |
| Температура, С | -55…+175 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
