KSP2222ATA, KSP2222ATA NPN Transistor, 600 mA, 40 V, 3-Pin TO-92
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
22 руб.
Кратность заказа 2000 шт.
Добавить в корзину 2000 шт.
на сумму 44 000 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | 75 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
| Maximum DC Collector Current | 600 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 625 mW |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-92 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA(ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Family | Transistors-Bipolar(BJT)-Single |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Manufacturer | Fairchild Semiconductor |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(Formed Leads) |
| Packaging | Tape & Box(TB) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625mW |
| Series | - |
| Standard Package | 2 |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
