N-Channel MOSFET, 65 A, 60 V, 8-Pin TSON TPN14006NH,L1Q(M

Фото 1/2 N-Channel MOSFET, 65 A, 60 V, 8-Pin TSON TPN14006NH,L1Q(M
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1850 шт., срок 6 недель
220 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 2 200 руб.
Номенклатурный номер: 8014498665
Артикул: TPN14006NH,L1Q(M
Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Switching Voltage Regulators Motor Drivers DC-DC Converters High-speed switching Small gate charge: QSW = 5.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Forward Diode Voltage 1.2V
Maximum Continuous Drain Current 65 A
Maximum Drain Source Resistance 41 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage ±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 30 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type TSON
Pin Count 8
Transistor Configuration Single
Typical Gate Charge @ Vgs 15 nC @ 10 V
Width 3.1mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 227 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.