N-Channel MOSFET, 65 A, 60 V, 8-Pin TSON TPN14006NH,L1Q(M
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1850 шт., срок 6 недель
220 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 2 200 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Switching Voltage Regulators Motor Drivers DC-DC Converters High-speed switching Small gate charge: QSW = 5.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 65 A |
Maximum Drain Source Resistance | 41 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 30 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TSON |
Pin Count | 8 |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
Width | 3.1mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары