FF1500R17IP5PBPSA1 Dual IGBT Module, 1.5 kA 1700 V, 10-Pin PRIME3+

Фото 1/2 FF1500R17IP5PBPSA1 Dual IGBT Module, 1.5 kA 1700 V, 10-Pin PRIME3+
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
353 000 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 353 000 руб.
Номенклатурный номер: 8014558312
Артикул: FF1500R17IP5PBPSA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon PrimePack dual IGBT module with TRENCHSTOP IGBT5 and .XT interconnection technology. It has collector emitter voltage of 1700 V.

Технические параметры

Channel Type N
Configuration Dual
Maximum Collector Emitter Voltage 1700 V
Maximum Continuous Collector Current 1.5 kA
Maximum Gate Emitter Voltage 20V
Maximum Power Dissipation 20 mW
Number of Transistors 2
Package Type PRIME3+
Pin Count 10
Transistor Configuration Dual
Base Product Number FF1500 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 1500A
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40В°C ~ 175В°C
Package Tray
Package / Case Module
Power - Max 1500W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series PrimePACKв„ў3+ ->
Supplier Device Package AG-PRIME3+-5
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 1.5kA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Brand: Infineon Technologies
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3
Manufacturer: Infineon
Packaging: Tray
Part # Aliases: FF1500R17IP5P SP002813348
Product Category: IGBT Modules
Product Type: IGBT Modules
Series: Trenchstop IGBT5-P5
Subcategory: IGBTs
Tradename: TRENCHSTOP PrimePACK
Collector Emitter Saturation Voltage 1.75В
Collector Emitter Voltage Max 1.7кВ
Continuous Collector Current 1.5кА
DC Ток Коллектора 1.5кА
Выводы БТИЗ Stud
Конфигурация БТИЗ Dual(Half Bridge)
Линейка Продукции PrimePACK 3+B
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Максимальная Температура Перехода Tj 175°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.75В
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 5(Trench/Field Stop)
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 659 КБ
Datasheet
pdf, 627 КБ
Datasheet
pdf, 968 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов