FF1800R12IE5PBPSA1 Dual IGBT Module, 1.8 kA 1200 V, 10-Pin PRIME3+
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
505 100 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 505 100 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon PrimePack dual IGBT module with TRENCHSTOP IGBT5 and .XT interconnection technology. It has collector emitter voltage of 1800 V.
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | Dual |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 1.8 kA |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Number of Transistors | 2 |
Package Type | PRIME3+ |
Pin Count | 10 |
Transistor Configuration | Dual |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 1.8кА |
DC Ток Коллектора | 1.8кА |
Выводы БТИЗ | Tab |
Конфигурация БТИЗ | Dual |
Линейка Продукции | PrimePACK 3+B |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 5(Trench/Field Stop) |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 814 КБ
Datasheet FF1800R12IE5PBPSA1
pdf, 641 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары