FF1800R12IE5PBPSA1 Dual IGBT Module, 1.8 kA 1200 V, 10-Pin PRIME3+

Фото 1/2 FF1800R12IE5PBPSA1 Dual IGBT Module, 1.8 kA 1200 V, 10-Pin PRIME3+
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
505 100 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 505 100 руб.
Номенклатурный номер: 8014558314
Артикул: FF1800R12IE5PBPSA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon PrimePack dual IGBT module with TRENCHSTOP IGBT5 and .XT interconnection technology. It has collector emitter voltage of 1800 V.

Технические параметры

Channel Type N
Configuration Dual
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 1.8 kA
Maximum Gate Emitter Voltage 20V
Maximum Power Dissipation 20 mW
Number of Transistors 2
Package Type PRIME3+
Pin Count 10
Transistor Configuration Dual
Collector Emitter Saturation Voltage 1.7В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 1.8кА
DC Ток Коллектора 1.8кА
Выводы БТИЗ Tab
Конфигурация БТИЗ Dual
Линейка Продукции PrimePACK 3+B
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Максимальная Температура Перехода Tj 175°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.7В
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 5(Trench/Field Stop)
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 814 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов