1EDN7512GXTMA1, 8 A, 4.2V 6-Pin, PG-WSON-6-1

Фото 1/2 1EDN7512GXTMA1, 8 A, 4.2V 6-Pin, PG-WSON-6-1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
320 руб.
Кратность заказа 15 шт.
Добавить в корзину 15 шт. на сумму 4 800 руб.
Номенклатурный номер: 8014564547
Артикул: 1EDN7512GXTMA1

Описание

Semiconductors\Power Management ICs\Gate Drivers
The Infineon 1-channel MOSFET gate driver ICs are the crucial link between control ICs and powerful MOSFET and GaN switching devices.

Технические параметры

Fall Time 4.5ns
Logic Type CMOS
Output Current 8 A
Package Type PG-WSON-6-1
Pin Count 6
Supply Voltage 4.2V
Brand: Infineon Technologies
Configuration: Inverting, Non-Inverting
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 4000
Fall Time: 4.5 ns
Manufacturer: Infineon
Maximum Operating Temperature: +150 C
Maximum Turn-Off Delay Time: 25 ns
Maximum Turn-On Delay Time: 25 ns
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Drivers: 1 Driver
Number of Outputs: 1 Output
Output Current: 8 A
Package/Case: WSON-6
Part # Aliases: 1EDN7512G SP001491590
Product Category: Gate Drivers
Product Type: Gate Drivers
Product: IGBT, MOSFET Gate Drivers
Rise Time: 6.5 ns
Series: 1EDN
Subcategory: PMIC-Power Management ICs
Supply Voltage - Max: 20 V
Supply Voltage - Min: 4.5 V
Technology: Si
Tradename: EiceDRIVER
Type: Low-Side
IC Case / Package WSON
Задержка Выхода 19нс
Задержка по Входу 19нс
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Количество Каналов 1канал(-ов)
Конфигурация Привода Низкая Сторона
Линейка Продукции EiceDRIVER 1EDN
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальное Напряжение Питания 20В
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Минимальное Напряжение Питания 4.5В
Стиль Корпуса Привода WSON
Тип переключателя питания GaN HEMT, IGBT, MOSFET
Ток истока
Ток стока

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1163 КБ
Datasheet
pdf, 945 КБ
Datasheet
pdf, 696 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем