SiC N-Channel MOSFET, 4.5 A, 1700 V, 7-Pin D2PAK LSIC1MO170T0750-TU
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 шт., срок 7 недель
3 650 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 650 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Littelfuse new 1700V, 750mOhm Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are presented in TO-263-7L package. The separated source pin reduces significantly the parasitic source inductance path to the driver, which helps improve the efficiency in high power applications.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.75 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 1700 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.8V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-263-7 |
| Pin Count | 7 |
| Series | LSIC1MO170T0750 |
| Transistor Material | SiC |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 667 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![STW88N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 0.024Ом, 84А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
ST Microelectronics
3 520 руб.
![MRF1535NT1, Транзистор Field Effect, Lateral N-канал, 520 МГц, 35 Вт, 12.5 В [TO-272-6 WRAP]](https://static.chipdip.ru/lib/894/DOC005894901.jpg)
